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通過(guò)應(yīng)用SiC、DSP升級(jí)和更新算法等方法解決； （6）高轉(zhuǎn)速的標(biāo)定測(cè)試臺(tái)架資源受限。 3、高效率 （1）提高電機(jī)效率：硅鋼片選型、繞線(xiàn)方法、永磁體布置方式； （2）提高電控效率：IGBT選型、載波......
大腦需要把這個(gè)信號(hào)傳送給手，由手部肌肉運(yùn)動(dòng)來(lái)產(chǎn)生一定的力量，摁下開(kāi)關(guān)。IGBT的驅(qū)動(dòng)就是控制IGBT的、靈巧又有力量的“手”。 那么，信號(hào)從MCU到IGBT驅(qū)動(dòng)芯片，中間都經(jīng)歷了什么？ 首先 MCU的輸出電流是mA級(jí)別，而......
MOSEFT的短路耐受時(shí)間相對(duì)較短，某些產(chǎn)品低于2us?？焖贆z測(cè)和快速關(guān)斷對(duì)于 SiC MOSEFT的可靠運(yùn)行和長(zhǎng)壽命至關(guān)重要。帶有去飽和功能（desat）的驅(qū)動(dòng)芯片可以應(yīng)對(duì)這種情況。通過(guò)設(shè)置desat保護(hù)......
檢測(cè)和快速關(guān)斷對(duì)于 SiC MOSEFT的可靠運(yùn)行和長(zhǎng)壽命至關(guān)重要。帶有去飽和功能（desat）的驅(qū)動(dòng)芯片可以應(yīng)對(duì)這種情況。通過(guò)設(shè)置desat保護(hù)的響應(yīng)時(shí)間低于1us，可以......
基本半導(dǎo)體推出支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片; 【導(dǎo)讀】相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)......
用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機(jī)和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC 的典型使用場(chǎng)景，并針對(duì)SiC 的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)對(duì)供電的特殊要求，對(duì)不......
負(fù)壓關(guān)斷可以避免因米勒電容對(duì)門(mén)極電壓的抬升作用而產(chǎn)生的誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，還可以加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，從一定程度上提高耐壓。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列，富士公司的EXB系列，英飛......
持續(xù)電流能力的雙 H 橋馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片，可以控制馬達(dá)進(jìn)入正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、剎車(chē)、滑行和低功耗睡眠模式。該芯片集成了欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)等功能。 表 5. 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器選型表 總結(jié) 目前......
市場(chǎng)格局下，高集成化門(mén)區(qū)驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)域主要由歐洲巨頭ST（意法半導(dǎo)體）主導(dǎo)，其L99DZ100與L99DZ300系列芯片在門(mén)區(qū)領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。這種國(guó)際壟斷態(tài)勢(shì)，為國(guó)內(nèi)汽車(chē)零部件制造商帶來(lái)了芯片選......
的分類(lèi)也包括這些方面，比如線(xiàn)性電源芯片、電壓基準(zhǔn)芯片、開(kāi)關(guān)電源芯片、LCD驅(qū)動(dòng)芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片、電壓檢測(cè)芯片、電池充電管理芯片等。 4.PCB......
車(chē)規(guī)級(jí)與航天級(jí)的模塊生產(chǎn)線(xiàn)要求，每年將生產(chǎn)6萬(wàn)顆高端航天及車(chē)規(guī)級(jí)IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠(chǎng)將采用與合作廠(chǎng)商共同研制的驅(qū)動(dòng)芯片，將最新一代高密度IGBT與碳化硅芯片和多功能、高集成驅(qū)動(dòng)芯片，實(shí)現(xiàn)從功率芯片......
%，目前是第三大股東。 芯能半導(dǎo)體專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，是國(guó)內(nèi)唯一一家掌握IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)芯片及大功率智能功率模塊設(shè)計(jì)能力的企業(yè)。據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，芯能......
IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？;俗話(huà)說(shuō)，好馬配好鞍，好自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電......
時(shí)數(shù)據(jù)并未成功發(fā)送，但片選CS信號(hào) 卻在Chip_SSP_SendFrame()返回后，誤認(rèn)為其成功執(zhí)行而對(duì)片選CS信號(hào)進(jìn)行了釋放拉高操作，待SPI外設(shè)真正發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)，此時(shí)片選CS信號(hào)已經(jīng)釋放，LCD驅(qū)動(dòng)芯片......
體代碼實(shí)現(xiàn)可去理解例程，本文不做解釋。 元器件是電路良好運(yùn)行的基本保證，找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城，原廠(chǎng)授權(quán)正品保障，品類(lèi)齊全。 數(shù)碼管顯示驅(qū)動(dòng)芯片 CH450是一款數(shù)碼管顯示驅(qū)動(dòng)芯片，可以用于驅(qū)動(dòng) 6位數(shù)碼管或 48點(diǎn)......
正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度;驅(qū)動(dòng)芯片概述 功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開(kāi)通，M2關(guān)掉的時(shí)候，電源......
語(yǔ)音芯片選型主要考慮的幾個(gè)方面？;隨著科技的發(fā)展和產(chǎn)品的集成化，語(yǔ)音芯片已經(jīng)逐漸替代了多種語(yǔ)音設(shè)備應(yīng)用在各場(chǎng)合。越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始涉及語(yǔ)音行業(yè)，企業(yè)的采購(gòu)人員跟工程師如何才能選擇合適的語(yǔ)音芯片......
速關(guān)斷，需要采用負(fù)偏電壓關(guān)斷。同時(shí)為了提高可靠性，每個(gè)IGBT都單獨(dú)供電。 下圖是帶負(fù)偏的雙電源電路圖： 可以采用合適的驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)搭建驅(qū)動(dòng)電路，此外，為了獲得足夠的驅(qū)動(dòng)能力和反向關(guān)斷功能，還可以采用橋式驅(qū)動(dòng)......
說(shuō)我要做一個(gè)單片機(jī)密碼鎖，要求： 1. 有4位數(shù)碼管顯示； 2. 控制一個(gè)繼電器； 3. 控制一個(gè)蜂鳴器； 4. 控制五個(gè)LED燈； 5. 兩個(gè)按鍵輸入； 2 芯片選型 根據(jù)你的需求來(lái)確定所選芯片型號(hào)。如第......
、MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的需求量也有大幅增加，所以芯片更好的新能源汽車(chē)達(dá)到2000顆左右。 細(xì)分點(diǎn)，可以分為控制芯片、計(jì)算芯片、傳感芯片、通信芯片、存儲(chǔ)芯片、安全芯片、功率芯片、驅(qū)動(dòng)芯片......
蔚來(lái)汽車(chē)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴，我們很高興能夠持續(xù)深化跟恩智浦的合作，特別是在細(xì)分市場(chǎng)三電領(lǐng)域加強(qiáng)協(xié)作,隨著搭載恩智浦最新一代GD31系列門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片的蔚來(lái)最新一代車(chē)型ET7，ES7和ET5的陸續(xù)上市，我們......
為核心建立一個(gè)雙閉環(huán)穩(wěn)定的一階系統(tǒng)，通過(guò)對(duì)輸出電壓反饋應(yīng)用的控制，可以實(shí)現(xiàn)在輸入直流電壓波動(dòng)的 情況下，通常波動(dòng)范圍在 9-16 V，對(duì) IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片的供電進(jìn)行控制及調(diào)節(jié)監(jiān)控使得其在不同負(fù)載狀態(tài)下，如空載、輕載和滿(mǎn)載均能可靠輸出驅(qū)動(dòng)......
自適應(yīng)可實(shí)現(xiàn)充電速率最大化 ●? ?精度達(dá)到±1%的預(yù)設(shè)充電電壓 ●? ?自動(dòng)再充電 ●? ?C/10 充電終止 ●? ?2.9V涓流充電 ●? ?軟啟動(dòng)限制浪涌電流 表4 鋰電池充電芯片選型表 5、 DC......
資10億元，占地43畝，總建筑面積73700平方米，達(dá)產(chǎn)后每年產(chǎn)值約16.5億元。產(chǎn)品全部采用公司自研的比肩國(guó)際巨頭最新一代高密度IGBT芯片和多功能、高集成驅(qū)動(dòng)芯片。實(shí)現(xiàn)從功率芯片、驅(qū)動(dòng)芯片......
效避免因輸入干擾造成的功率管橋臂直通問(wèn)題。 在電源應(yīng)用中，受高頻開(kāi)關(guān)噪聲的影響，半橋驅(qū)動(dòng)芯片的輸入引腳容易受到干擾，可能會(huì)出現(xiàn)高低邊輸入被同時(shí)拉高的情況，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)芯片的高低邊輸出同時(shí)為高，引發(fā)功率管橋臂直通，造成......
IGBT模塊和60萬(wàn)只SIC MOS模塊，年?duì)I收約15億元。 資料顯示，芯能半導(dǎo)體是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片以及智能功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用和銷(xiāo)售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)和國(guó)家“專(zhuān)精......
金升陽(yáng)推出IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源——QA-(T)-R3G系列; 【導(dǎo)讀】金升陽(yáng)致力于為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)......
包括，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、碳化硅和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等技術(shù)方向； 驅(qū)動(dòng)芯片包括，通用要求、功率驅(qū)動(dòng)芯片、顯示驅(qū)動(dòng)芯片等技術(shù)方向； 電源管理芯片包括，通用......
基本半導(dǎo)體推出單通道智能帶短路保護(hù)的隔離驅(qū)動(dòng)芯片; 【導(dǎo)讀】BTD3011R是一款單通道智能帶短路保護(hù)的隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，采用磁隔離技術(shù)，集成了退飽和短路保護(hù)、軟關(guān)斷功能、原副......
電梯播報(bào)器語(yǔ)音芯片選型？N9300音樂(lè)芯片在電梯播報(bào)器上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì);前言 電梯播報(bào)器是一種通過(guò)語(yǔ)音或音頻方式進(jìn)行信息傳遞的設(shè)備，安裝在電梯內(nèi)部或電梯井道中，在乘坐電梯過(guò)程中向乘客提供各種信息。電梯......
奧迪電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(MCU)系統(tǒng)框圖、芯片、功能拆解;新能源電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(MCU)系統(tǒng)框圖，芯片，功能拆解 E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V，10 秒持續(xù)的最大電流為 530A......
電流越大，需要的負(fù)壓越深。 2 使用帶米勒鉗位的驅(qū)動(dòng)芯片。米勒鉗位的原理是，在IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)（Vg-VEE低于2V）時(shí)，直接用一個(gè)低阻通路（MOSFET）將IGBT的門(mén)極連接到地，當(dāng)位......
STM32學(xué)習(xí)日志——基于NT35510驅(qū)動(dòng)芯片的LCD屏顯示;之前寫(xiě)過(guò)關(guān)于LCD屏的學(xué)習(xí)日志，當(dāng)時(shí)學(xué)得很懵逼，最后先暫時(shí)跳過(guò)，把教材的例程當(dāng)成庫(kù)函數(shù)來(lái)用，等后面開(kāi)竅了再回過(guò)頭來(lái)學(xué)習(xí)一遍。回想......
這些前提條件選擇合適的功放IC； 三、確定音箱系統(tǒng)電源和輸出功率后，判斷是否需要升壓。需要升到多少V？輸出多大電流？從而選擇合適升壓芯片。 但是現(xiàn)在升壓芯片、功放芯片品類(lèi)繁多，管腳互不兼容，工程師在芯片選型中無(wú)所適從。往往......
艾為電子推出車(chē)規(guī)級(jí)36路RGB LED驅(qū)動(dòng)芯片; 【導(dǎo)讀】艾為電子推出車(chē)規(guī)級(jí)36路RGB LED驅(qū)動(dòng)芯片AW21036QPY-Q1（8位PWM）和 AW21036EQPY-Q1（16位......
貝嶺宣布擬以自有資金收購(gòu)矽塔科技100%股權(quán)，交易總價(jià)為3.6億元。據(jù)悉，矽塔科技是一家專(zhuān)注于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制芯片的模擬數(shù)字混合IC設(shè)計(jì)公司。上海貝嶺表示，本次收購(gòu)?fù)瓿珊?，將增?qiáng)上海貝嶺電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片研發(fā)實(shí)力，豐富......
燦瑞科技推出高效雙色溫LED閃光燈驅(qū)動(dòng)芯片; 【導(dǎo)讀】OCP81373是一款高效雙色溫LED閃光燈驅(qū)動(dòng)芯片，為智能手機(jī)、PAD等消......
浦是全球領(lǐng)先的汽車(chē)電子供應(yīng)商，也是蔚來(lái)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴，我們很高興能夠持續(xù)深化跟恩智浦的合作，特別是在細(xì)分市場(chǎng)三電領(lǐng)域加強(qiáng)協(xié)作,隨著搭載恩智浦最新一代GD31系列門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片的蔚來(lái)最新一代車(chē)型ET7......
不僅要符合產(chǎn)品電路需求，同時(shí)也要普及化設(shè)計(jì)。下面簡(jiǎn)單介紹一下語(yǔ)音芯片選型主要考慮的幾個(gè)方面？ 語(yǔ)音芯片選型主要考慮的幾個(gè)方面 1、芯片音質(zhì) 語(yǔ)音芯片首先看中音質(zhì)這塊，這跟......
為互聯(lián)汽車(chē)提供專(zhuān)用分立器件、MOSFET器件和邏輯器件，產(chǎn)品完全符合AEC-Q100/Q101標(biāo)準(zhǔn)；華大半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片是控制器和功率器件之間的橋梁，面向工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，配合自主研發(fā)IGBT和SiC功率器件，提供完整的解決方案。09......
分點(diǎn)，可以分為控制芯片、計(jì)算芯片、傳感芯片、通信芯片、存儲(chǔ)芯片、安全芯片、功率芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片九大類(lèi)。 汽車(chē)芯片九大類(lèi) 1. 控制芯片：MCU、SOC 2. 計(jì)算芯片：CPU、GPU 3......
ACM6754 24V/4.8A三相無(wú)感無(wú)刷直流BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方案;BLDC電機(jī)憑借其卓越的高效率和低能耗特性，深度滿(mǎn)足了下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?jié)能減排的迫切需求，為下......
蔚來(lái)汽車(chē)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴，我們很高興能夠持續(xù)深化跟恩智浦的合作，特別是在細(xì)分市場(chǎng)三電領(lǐng)域加強(qiáng)協(xié)作,隨著搭載恩智浦最新一代GD31系列門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片的蔚來(lái)最新一代車(chē)型ET7，ES7和ET5的陸續(xù)上市，我們......
迪半導(dǎo)體矢志成為高效、智能、集成的新型半導(dǎo)體供應(yīng)商。 主營(yíng)產(chǎn)品： 電源管理芯片、功率MOSFET、LED驅(qū)動(dòng)芯片、電量計(jì)、復(fù)位芯片、IGBT芯片及模組、智能功率模塊及IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊、CMOS圖像......
、功率芯片、模擬芯片等。本期我們將給大家分享，在國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速推進(jìn)驅(qū)動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)芯片行業(yè)版圖。 01?功率類(lèi)芯片新能源汽車(chē)是功率器件增量需求主要來(lái)源。其中，增量較大的主要是IGBT模塊、SiC......
和邏輯器件，產(chǎn)品完全符合AEC-Q100/Q101標(biāo)準(zhǔn)； 華大半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片是控制器和功率器件之間的橋梁，面向工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，配合自主研發(fā)IGBT和SiC功率器件，提供完整的解決方案。 09?安全芯片......
半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目的研發(fā)內(nèi)容包括：新一代高性能IGBT芯片及模塊、SiC MOSFET芯片及模塊、高壓功率器件驅(qū)動(dòng)芯片。 比亞迪半導(dǎo)體認(rèn)為，功率半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的重要性逐步凸顯，通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施和建設(shè)，比亞......
設(shè)想 二、芯片選型 1.隔離DC-DC部分......
，包括：柵極驅(qū)動(dòng)控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半導(dǎo)體等開(kāi)關(guān)器件的柵極驅(qū)動(dòng)芯片）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC芯片（含半橋、H橋、三相橋）；智能功率IC開(kāi)關(guān)（SmartMOS）和功率驅(qū)動(dòng)控制IC芯片......

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一系列Class D音頻功率放大器，電源管理芯片，低壓差線(xiàn)性調(diào)整器， 開(kāi)關(guān)型升壓IC， 開(kāi)關(guān)型降壓IC， LED驅(qū)動(dòng)芯片，運(yùn)放， 耳機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,通過(guò)不斷創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，為客戶(hù)提供最專(zhuān)業(yè)的服務(wù)。
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